FHD沉積係統設計為在最短的時間內在基底上（shàng）沉積矽和在基底上沉積（jī）矽酸鹽（二氧化矽），特別適（shì）用於光波導工藝的（de）二氧（yǎng）化矽沉積，薄膜厚度達到25微米（mǐ）以上（shàng）。
-技（jì）術優勢
1.首款自主研發的FHD鍍膜設備（bèi） ，TGV鍍銅設備實現國外競品完全對標 ，產品已進客戶端量產。
2.FHD鍍膜設備 ，TGV鍍銅設（shè）備為切（qiē）入口 ，布（bù）局半（bàn）導體光量子集成芯片和（hé）先進封裝製程中合成石英和光（guāng）纖設備（bèi）及產品線，可替代進口設備；
3.核心團隊具有十年以上（shàng）精（jīng）密（mì）半導體裝備開發及量產經驗 ，掌握半導體設備開發的核心技術和工藝，具有高端（duān）半導體製程設備的研（yán）發能力，能為客戶（hù）提供整線解決方案和服務。
-高性價比
關鍵（jiàn）零部件實現了供應鏈自主可控 ，原材料風險小（xiǎo）。